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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXTT60N20L2

IXTT60N20L2

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品番
IXTT60N20L2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTT60N20L2.pdf
合計:$14.41000
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$14.41000

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品番
IXTT60N20L2
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
255nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
10500pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
540W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-268
パッケージ/ケース
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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