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CSD19506KTT

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品番
CSD19506KTT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
CSD19506KTT.pdf
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品番
CSD19506KTT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
200A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
156nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
12200pF @ 40V
FET機能
-
消費電力(最大)
375W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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