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RP1E090XNTCR

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品番
RP1E090XNTCR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
RP1E090XNTCR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
6.8nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
440pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
2W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
MPT6
パッケージ/ケース
6-SMD, Flat Leads

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