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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPA50R650CE

IPA50R650CE

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品番
IPA50R650CE
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPA50R650CE.pdf
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品番
IPA50R650CE
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
13V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
342pF @ 100V
FET機能
Super Junction
消費電力（最大）
27.2W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220-FP
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack

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