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FQD12N20LTM-F085

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品番
FQD12N20LTM-F085
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQD12N20LTM-F085.pdf
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品番
FQD12N20LTM-F085
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
21nC @ 5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1080pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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