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BSC046N10NS3GATMA1

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品番
BSC046N10NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC046N10NS3GATMA1.pdf
合計:$1.41617
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$1.41617

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品番
BSC046N10NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
17A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 120µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
63nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4500pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
156W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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