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IPB65R110CFDATMA1

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品番
IPB65R110CFDATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB65R110CFDATMA1.pdf
合計:$3.30638
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$3.30638

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品番
IPB65R110CFDATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
31.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 1.3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
118nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3240pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
277.8W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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