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SI8429DB-T1-E1

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品番
SI8429DB-T1-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI8429DB-T1-E1.pdf
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品番
SI8429DB-T1-E1
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
8V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
26nC @ 5V
Vgs(最大)
±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1640pF @ 4V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
4-Microfoot
パッケージ/ケース
4-XFBGA, CSPBGA

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