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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

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品番
SIS427EDN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIS427EDN-T1-GE3.pdf
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$0.30510

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品番
SIS427EDN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
66nC @ 10V
Vgs（最大）
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1930pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8

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