IcSeek.comへようこそ

日本語
English简体中文españolPortuguês한국의Deutschрусский
引用を要求|お問い合わせ

ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2 Image is for reference, Plz contact us to get the real picture
品番
IPB180N06S4H1ATMA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB180N06S4H1ATMA2.pdf
合計:$2.18665
Submit a quote on large quantities or your Target Price.
目標価格（米ドル）
数量

リマーク

Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2 ICSEEKで入手できます。私たちは、新品とオリジナルのパーツのみを販売し、1年間の保証期間を提供します。製品についてもっと知りたい、またはより良い価格を適用したい場合は、オンラインチャットをクリックするか、見積もりを送信してください。

在庫あり 42768 個

屈折価格
(米ドルで)		 1個
$2.18665

見積もりを再引用

品番
IPB180N06S4H1ATMA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
270nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
21900pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

の関連キーワード "IPB180N06S4H1ATMA2"

おすすめ商品

  1. VI-25L-IX-F4

    VI-25L-IX-F4DC DC CONVERTER 28V 75W

  2. VI-J51-MW-B1

    VI-J51-MW-B1DC DC CONVERTER 12V 100W

  3. V300A48M500BF2

    V300A48M500BF2DC DC CONVERTER 48V 500W

  4. VI-23W-IW-B1

    VI-23W-IW-B1DC DC CONVERTER 5.5V 100W

  5. V375A32E600B

    V375A32E600BDC DC CONVERTER 32V 600W

  6. VI-J6W-MY-F2

    VI-J6W-MY-F2DC DC CONVERTER 5.5V 50W

  7. PT78NR114V

    PT78NR114VDC DC CONVERTER -13.9V 0.3A

  8. VI-J5Z-IZ-S

    VI-J5Z-IZ-SDC DC CONVERTER 2V 10W

  9. VI-J3N-CZ-F2

    VI-J3N-CZ-F2DC DC CONVERTER 18.5V 25W

  10. VI-25L-CX-S

    VI-25L-CX-SDC DC CONVERTER 28V 75W

関連部品 IPB180N06S4H1ATMA2

アドレス：No.1117ブロックC、電気＆技術ビル、華強北福田区。シンセン、GD 518031中国 電話：0086-755-23904475 電子メール：[email protected]
©2020 ICSEEK Components Limited All Rights Reserved