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SH8M11TB1

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品番
SH8M11TB1
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SH8M11TB1.pdf
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品番
SH8M11TB1
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N and P-Channel
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
3.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
98 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
1.9nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
85pF @ 10V
パワー-最大
2W
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP

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