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SI1965DH-T1-GE3

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品番
SI1965DH-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI1965DH-T1-GE3.pdf
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$0.19855

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品番
SI1965DH-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.2nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
120pF @ 6V
パワー-最大
1.25W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-70-6 (SOT-363)

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