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IPT60R050G7XTMA1

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品番
IPT60R050G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPT60R050G7XTMA1.pdf
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$5.76076

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品番
IPT60R050G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
44A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 800µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
68nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2670pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
245W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース
8-PowerSFN

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