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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSS123-7-F

BSS123-7-F

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品番
BSS123-7-F
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSS123-7-F.pdf
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$0.05187

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品番
BSS123-7-F
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
170mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
-
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
60pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
300mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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