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SI3499DV-T1-GE3

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品番
SI3499DV-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI3499DV-T1-GE3.pdf
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品番
SI3499DV-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
8V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
5.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
750mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
42nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
-
FET機能
-
消費電力(最大)
1.1W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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