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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル FDC637BNZ

FDC637BNZ

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品番
FDC637BNZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDC637BNZ.pdf
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品番
FDC637BNZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
6.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
12nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
895pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
1.6W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT™-6
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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