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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル IXFP26N30X3

IXFP26N30X3

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品番
IXFP26N30X3
メーカー
IXYS Corporation
説明
300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFP26N30X3.pdf
合計:$3.16000
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$3.16000

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品番
IXFP26N30X3
メーカー
IXYS Corporation
説明
300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
300V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
26A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
66 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4.5V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
22nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1.465nF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
170W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
パッケージ/ケース
TO-220-3

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