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SQM110P06-8M9L_GE3

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品番
SQM110P06-8M9L_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQM110P06-8M9L_GE3.pdf
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品番
SQM110P06-8M9L_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
110A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
8.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
200nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
7450pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
230W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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