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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3

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品番
SI7431DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7431DP-T1-GE3.pdf
合計:$2.29761
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$2.29761

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品番
SI7431DP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
174 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
135nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
-
FET機能
-
消費電力（最大）
1.9W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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