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IXTH1N200P3HV

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品番
IXTH1N200P3HV
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTH1N200P3HV.pdf
合計:$6.33000
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$6.33000

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品番
IXTH1N200P3HV
メーカー
IXYS Corporation
説明
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
2000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
23.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
646pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
125W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247HV
パッケージ/ケース
TO-247-3 Variant

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