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IPC100N04S52R8ATMA1

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品番
IPC100N04S52R8ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPC100N04S52R8ATMA1.pdf
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品番
IPC100N04S52R8ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
7V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.4V @ 30µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
45nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2600pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
75W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-34
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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