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RQ1C065UNTR

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品番
RQ1C065UNTR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
RQ1C065UNTR
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
11nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
870pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
700mW (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
パッケージ/ケース
8-SMD, Flat Lead

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