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SI7858BDP-T1-GE3

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品番
SI7858BDP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7858BDP-T1-GE3.pdf
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品番
SI7858BDP-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
84nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
5760pF @ 6V
FET機能
-
消費電力(最大)
5W (Ta), 48W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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