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SQD50P03-07_GE3

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品番
SQD50P03-07_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQD50P03-07_GE3.pdf
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品番
SQD50P03-07_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
部品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
146nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
5490pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
136W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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