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ZXMN10A25GTA

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品番
ZXMN10A25GTA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
ZXMN10A25GTA.pdf
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品番
ZXMN10A25GTA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
859pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
2W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223
パッケージ/ケース
TO-261-4, TO-261AA

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