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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

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品番
SQJ456EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SQJ456EP-T1_GE3.pdf
合計:$2.95235
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$2.95235

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品番
SQJ456EP-T1_GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
26 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
63nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3342pF @ 25V
FET機能
-
消費電力（最大）
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® SO-8

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