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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル BSZ065N03LSATMA1

BSZ065N03LSATMA1

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品番
BSZ065N03LSATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSZ065N03LSATMA1.pdf
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$0.29700

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品番
BSZ065N03LSATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
670pF @ 15V
FET機能
-
消費電力（最大）
2.1W (Ta), 26W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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