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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

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品番
RW1C020UNT2R
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.19285
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品番
RW1C020UNT2R
メーカー
ROHM Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
部品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
2nC @ 4.5V
Vgs（最大）
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
180pF @ 10V
FET機能
-
消費電力（最大）
400mW (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
6-WEMT
パッケージ/ケース
SOT-563, SOT-666

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