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FDC637BNZ

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品番
FDC637BNZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FDC637BNZ.pdf
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品番
FDC637BNZ
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
6.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
895pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.6W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT™-6
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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