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ホーム 製品 ディスクリート半導体製品 トランジスタ-FET、MOSFET-シングル ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

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品番
ZXMN10A08GTA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
ZXMN10A08GTA.pdf
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品番
ZXMN10A08GTA
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss）
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
7.7nC @ 10V
Vgs（最大）
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
405pF @ 50V
FET機能
-
消費電力（最大）
2W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223
パッケージ/ケース
TO-261-4, TO-261AA

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