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IRL40T209ATMA1

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品番
IRL40T209ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRL40T209ATMA1.pdf
合計:$3.51120
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$3.51120

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品番
IRL40T209ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
300A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
269nC @ 4.5V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
16000pF @ 20V
FET機能
-
消費電力(最大)
500W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース
8-PowerSFN

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