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TPC8113(TE12L,Q)

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品番
TPC8113(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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品番
TPC8113(TE12L,Q)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
10 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
107nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4500pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
1W (Ta)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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