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W987D2HBJX6I TR

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品番
W987D2HBJX6I TR
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
W987D2HBJX6I TR.pdf
合計:$2.18391
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$2.18391

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品番
W987D2HBJX6I TR
メーカー
Winbond Electronics
説明
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
部品ステータス
Not For New Designs
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPSDR
メモリー容量
128Mb (4M x 32)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5.4ns
メモリインターフェース
Parallel
電圧-供給
1.7V ~ 1.95V
動作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ
90-VFBGA (8x13)

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