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SI7601DN-T1-GE3

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品番
SI7601DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI7601DN-T1-GE3.pdf
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品番
SI7601DN-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
27nC @ 5V
Vgs(最大)
±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1870pF @ 10V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース
PowerPAK® 1212-8

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