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EPC8009

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品番
EPC8009
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC8009.pdf
合計:$2.52000
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品番
EPC8009
メーカー
EPC
説明
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
65V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.45nC @ 5V
Vgs(最大)
+6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
52pF @ 32.5V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die

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