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CDBDSC8650-G

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品番
CDBDSC8650-G
メーカー
Comchip Technology
説明
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
CDBDSC8650-G.pdf
合計:$3.50000
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$3.50000

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品番
CDBDSC8650-G
メーカー
Comchip Technology
説明
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
650V
電流-平均整流(Io)
25.5A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.7V @ 8A
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr)
0ns
電流-Vrでの逆漏れ
100µA @ 650V
静電容量@ Vr、F
550pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
D-PAK (TO-252)
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 175°C

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