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SIA416DJ-T1-GE3

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品番
SIA416DJ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SIA416DJ-T1-GE3.pdf
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品番
SIA416DJ-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
11.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
83 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
10nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
295pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-70-6

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