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IPDD60R050G7XTMA1

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品番
IPDD60R050G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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IPDD60R050G7XTMA1.pdf
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$5.71220

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品番
IPDD60R050G7XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
47A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 800µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
68nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2670pF @ 400V
FET機能
-
消費電力(最大)
278W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HDSOP-10-1
パッケージ/ケース
10-PowerSOP Module

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