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MURTA200120

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品番
MURTA200120
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MURTA200120.pdf
合計:$104.63222
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$104.63222

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品番
MURTA200120
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
部品ステータス
Active
ダイオード構成
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
1200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと)
100A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
2.6V @ 100A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
25µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション
-55°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ
Three Tower

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