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IPP093N06N3GXKSA1

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品番
IPP093N06N3GXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPP093N06N3GXKSA1.pdf
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品番
IPP093N06N3GXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 34µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2900pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
71W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3

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