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SI4288DY-T1-GE3

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品番
SI4288DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SI4288DY-T1-GE3.pdf
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$0.65600

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品番
SI4288DY-T1-GE3
メーカー
Vishay
説明
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
9.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
580pF @ 20V
パワー-最大
3.1W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO

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