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FQD19N10TM

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品番
FQD19N10TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
FQD19N10TM.pdf
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品番
FQD19N10TM
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
15.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(最大)
±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
780pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D-Pak
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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