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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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品番
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$56.91000
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(米ドルで)
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$56.91000

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品番
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
部品ステータス
Not For New Designs
IGBTタイプ
-
構成
Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大)
1200V
電流-コレクター(Ic)(最大)
15A
パワー-最大
80W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC
3.2V @ 15V, 10A
電流-コレクターのカットオフ(最大)
400µA
入力容量(Cies)@ Vce
530pF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
No
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module

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