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IPB180N04S4LH0ATMA1

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品番
IPB180N04S4LH0ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPB180N04S4LH0ATMA1.pdf
合計:$1.86894
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品番
IPB180N04S4LH0ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH TO263-7
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 180µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
310nC @ 10V
Vgs(最大)
+20V, -16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
24440pF @ 25V
FET機能
-
消費電力(最大)
250W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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