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TSM120N06LCR RLG

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品番
TSM120N06LCR RLG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
TSM120N06LCR RLG.pdf
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品番
TSM120N06LCR RLG
メーカー
Taiwan Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
54A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36.5nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2116pF @ 30V
FET機能
-
消費電力(最大)
69W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN

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