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JAN1N6629US

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品番
JAN1N6629US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$21.37740
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$21.37740

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品番
JAN1N6629US
メーカー
Microsemi
説明
DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
880V
電流-平均整流(Io)
1.4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.4V @ 1.4A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
50ns
電流-Vrでの逆漏れ
2µA @ 880V
静電容量@ Vr、F
40pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
E-MELF
サプライヤーデバイスパッケージ
D-5B
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 150°C

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