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BSG0810NDIATMA1

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品番
BSG0810NDIATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSG0810NDIATMA1.pdf
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品番
BSG0810NDIATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
部品ステータス
Active
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
19A, 39A
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1040pF @ 12V
パワー-最大
2.5W
動作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TISON-8

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