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IPN50R3K0CEATMA1

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品番
IPN50R3K0CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
CONSUMER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPN50R3K0CEATMA1.pdf
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品番
IPN50R3K0CEATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
CONSUMER
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
2.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
13V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3 Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 30µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.3nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
84pF @ 100V
FET機能
-
消費電力(最大)
5W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-SOT223
パッケージ/ケース
SOT-223-3

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