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CSD19535KTTT

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品番
CSD19535KTTT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
CSD19535KTTT.pdf
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品番
CSD19535KTTT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss)
100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C
200A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
98nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
7930pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
300W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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