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1N5061 TR

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品番
1N5061 TR
メーカー
Central Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
合計:$0.74844
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$0.74844

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品番
1N5061 TR
メーカー
Central Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
部品ステータス
Active
ダイオードタイプ
Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大)
600V
電流-平均整流(Io)
1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If
1.2V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流-Vrでの逆漏れ
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
SOD-88A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ
GPR-1A
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C

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